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参数目录49637
> UPA2719AGR-E2-AT MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
型号:
UPA2719AGR-E2-AT
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
UPA2719AGR-E2-AT PDF
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
13 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2010pF @ 10V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装
8-PSOP
包装
带卷 (TR)
查看UPA2719AGR-E2-AT代理商
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